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SOI絕緣體上硅/GOI/SOS
進口4-8英寸，Simox、bonding、smart cut、BESOI等SOI晶圓片；
公司可為客戶提供法國Soitec、日本信越半導體（SHE）、美國SunEdison、英國ICMOS、芬蘭Okmetic等不同廠家的 100mm, 125mm, 150mm以及200mmSOI晶圓片。產品系列包括Smart cut、bonding，SIMOX 晶圓等，并可提供用戶需求的各種頂層硅厚度。公司還向用戶提供頂層硅小于50nm的超薄SOI晶圓系列和用于RF系統集成用的高阻SOI晶圓片。
頂層硅的厚度可根據應用的不同而變化。公司可提供SOI晶圓片的頂層硅最薄可達10納米，最厚可至幾十微米或更多。更厚的頂層硅對光通訊及MEMS器件尤其重要。
SOI/GOI (Ge on insulator )/SOS ( Silicon-on-Sapphire)
產品名稱：進口Al2O3+Si薄膜 （SOS）
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Si晶向： |
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Si摻雜類型： |
本征；不摻雜 |
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Si厚度： |
0.6 um +/- 0.05 um |
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Si電阻率： |
> 100 ohm.cm |
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Micro-particle density (for particles > 2 um)： |
< 2/cm^2 |
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Al2O3基片： |
R plane with single flat |
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Al2O3邊取： |
One flat 32.5mm +/-2.5mm, at 45+/- 1 deg CCW fromon |
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Al2O3尺寸： |
dia100 x 0.46 mm |
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TTV: |
< 15 um |
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Bow: |
< 20 um |
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Warp: |
< 20 um |
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Flatness （TIR) |
< 12 um |
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拋光情況： |
單拋(正面外延拋光，背面光學級拋光，背面激光有激光標記） |
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備注： |
可按照客戶要求在C plane Al2O3上鍍Si |